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NAND04GA3C2N6E 데이터 시트보기 (PDF) - STMicroelectronics
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제조사
NAND04GA3C2N6E
4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
STMicroelectronics
NAND04GA3C2N6E Datasheet PDF : 51 Pages
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NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
12 DC and AC parameters
Figure 27. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
400
300
200
1.7
100
30
0
1.7
1
1. T = 25°C.
VDDQ = 1.8V, CL = 30pF
4
3
2
0.85
90
60
0.57
1.7
1.7
2
3
RP (K
Ω)
120
1
0.43
1.7
4
tf
VDDQ = 3.3V, CL = 100pF
400
300
2.4
200
300
200
1.2
100
100
0.8
0
3.6
1
3.6
3.6
2
3
RP (K
Ω)
tr
ibusy
4
400
3
2
1
0.6
3.6
4
ai11014
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