P/N +説明+コンテンツ検索
部品番号(s) : MG300J2YS40
Toshiba
コンポーネント説明 : silicon N channel IGBT
部品番号(s) : MG25Q2YS40
Toshiba
コンポーネント説明 : GTR MODULE silicon N channel IGBT
部品番号(s) : MG25Q6ES42
Toshiba
コンポーネント説明 : GTR MODULE silicon N channel IGBT
部品番号(s) : MG25J1BS11
Toshiba
コンポーネント説明 : GTR MODULE silicon N - channel IGBT
部品番号(s) : MG300Q1US51
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA GTR MODULE silicon N channel IGBT
部品番号(s) : MG600J1US51 MG600
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA GTR MODULE silicon N channel IGBT
部品番号(s) : MG100Q2YS11
Toshiba
コンポーネント説明 : GTR Module silicon N-channel IGBT
部品番号(s) : MG75Q2YS52
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA GTR MODULE silicon N channel IGBT
部品番号(s) : MG300J1US51
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA GTR MODULE silicon N channel IGBT
部品番号(s) : MG300Q1US11
Toshiba
コンポーネント説明 : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
部品番号(s) : MG15J6ES40
Toshiba
コンポーネント説明 : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
部品番号(s) : MG600Q2YS60A
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA IGBT MODULE silicon N channel IGBT
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : EcoSPARK™ 500mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT (Rev - 2002)
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : EcoSPARK® 500mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : EcoSPARK™ 300mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT (Rev - 2002)
部品番号(s) : RJP6085DPN RJP6085DPN-00-T2
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : silicon N channel IGBT High Speed Power Switching
(Rev - 2010)
部品番号(s) : RJK6085DPK-00-T0 RJP6085DPK
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : silicon N channel IGBT High Speed Power Switching
(Rev - 2010)
部品番号(s) : SGTN50A36FD N50A36
Kodenshi Auk Co., LTD
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT
部品番号(s) : ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : EcoSPARK® 500mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT