silicon N channel IGBT 360V
Número de pieza(s) : RJH3044
Hitachi -> Renesas Electronics
componentes Descripción : silicon N channel IGBT, 360V, 30A
Número de pieza(s) : MG300J2YS40
Toshiba
componentes Descripción : silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG25Q2YS40
Toshiba
componentes Descripción : GTR MODULE silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG25Q6ES42
Toshiba
componentes Descripción : GTR MODULE silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG25J1BS11
Toshiba
componentes Descripción : GTR MODULE silicon N - channel IGBT
Número de pieza(s) : MG300Q1US51
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA GTR MODULE silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG600J1US51 MG600
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA GTR MODULE silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG100Q2YS11
Toshiba
componentes Descripción : GTR Module silicon N-channel IGBT
Número de pieza(s) : MG75Q2YS52
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA GTR MODULE silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG300J1US51
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA GTR MODULE silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG300Q1US11
Toshiba
componentes Descripción : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Número de pieza(s) : MG15J6ES40
Toshiba
componentes Descripción : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Número de pieza(s) : MG600Q2YS60A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA IGBT MODULE silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : ISL9V5036S3S V5036P ISL9V5036P3 V5036S ISL9V5036S3
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : EcoSPARK™ 500mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT (Rev - 2002)
Número de pieza(s) : ISL9V5036S3ST V5036P ISL9V5036P3 ISL9V5036S3 V5036S ISL9V5036S3S
ON Semiconductor
componentes Descripción : EcoSPARK® 500mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT
Número de pieza(s) : V3036D ISL9V3036D3S V3036S ISL9V3036S3S V3036P ISL9V3036P3
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : EcoSPARK™ 300mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT (Rev - 2002)
Número de pieza(s) : RJP6085DPN RJP6085DPN-00-T2
Renesas Electronics
componentes Descripción : silicon N channel IGBT High Speed Power Switching
(Rev - 2010)
Número de pieza(s) : RJK6085DPK-00-T0 RJP6085DPK
Renesas Electronics
componentes Descripción : silicon N channel IGBT High Speed Power Switching
(Rev - 2010)
Número de pieza(s) : SGTN50A36FD N50A36
Kodenshi Auk Co., LTD
componentes Descripción : Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT
Número de pieza(s) : ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor
componentes Descripción : EcoSPARK® 500mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT