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Número de pieza(s) : BLF8G22LS-200V BLF8G22LS-200GV
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF8G20LS-200V
Ampleon
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF8G22LS-200V BLF8G22LS-200GV
Ampleon
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF8G20LS-200V
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
componentes Descripción : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
Número de pieza(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFET (650V,12A)
Número de pieza(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
componentes Descripción : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
Número de pieza(s) : GS88237BB-250V GS88237BB-200V GS88237BB-250IV GS88237BB-200IV GS88237BD-250V GS88237BD-200V GS88237BD-250IV GS88237BD-200IV GS88237BGB-250V GS88237BGB-200V
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM
Número de pieza(s) : GS88118B-XXXV GS88118BD-150IV GS88118BD-150V GS88118BD-200IV GS88118BD-200V GS88118BD-250IV GS88118BD-250V GS88118BD-XXXV GS88118BGD-150IV GS88118BGD-150V
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
Número de pieza(s) : FX853
SANYO -> Panasonic
componentes Descripción : MOSFET:N-Channel Silicon MOSFET SBD:Schottky Barrier Diode
Número de pieza(s) : BUZ31
Comset Semiconductors
componentes Descripción : POWER MOS TRANSISTORS
Número de pieza(s) : GS881E18BD-150IV GS881E18BD-150V GS881E18BD-200IV GS881E18BD-200V GS881E18BD-250IV GS881E18BD-250V GS881E18BGD-150IV GS881E18BGD-150V GS881E18BGD-200IV GS881E18BGD-200V
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
Número de pieza(s) : GS880Z18BGT-150V GS880Z18BGT-200V GS880Z18BGT-250V GS880Z18BT-150IV GS880Z18BT-150V GS880Z18BT-200IV GS880Z18BT-200V GS880Z18BT-250IV GS880Z18BT-250V GS880Z32BGT-150V
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
Número de pieza(s) : GS882Z18BGD-150IV GS882Z18BGD-150V GS882Z18BGD-200IV GS882Z18BGD-250IV GS882Z36BB-200V GS882Z36BGD-150IV GS882Z36BGD-150V GS882Z36BGD-200IV GS882Z36BGD-200V GS882Z36BGD-250IV
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
Número de pieza(s) : GS880E18BGT-150V GS880E18BGT-200IV GS880E18BGT-200V GS880E18BGT-250IV GS880E18BGT-250V GS880E18BT-150IV GS880E18BT-150V GS880E18BT-200IV GS880E18BT-200V GS880E18BT-250IV
Giga Semiconductor
componentes Descripción : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
Número de pieza(s) : PAL007E
Pioneer Electronics
componentes Descripción : Car Audio Power Amplifier
Número de pieza(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFET (600V,12A)
Número de pieza(s) : FQB630 FQI630
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : 200V N-Channel MOSFET
Número de pieza(s) : FQA48N20
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : 200V N-Channel MOSFET
Número de pieza(s) : FQP12P20
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : 200V P-Channel MOSFET